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而基于In2S3/InOCl的器件Voc为0.59V、服务Jsc为19.13mAcm-2、FF为46.09%，光电转换效率为5.20%。提升这里In空位将起到电子陷阱的作用。然而，业扩目前In2S3基锑基硫属太阳能电池的器件效率并不理想，这与In2S3材料的高密度空位缺陷密切相关。

【文章信息】新型宽带隙InOCl界面层钝化In2S3/Sb2(S,Se)3异质结太阳能电池界面缺陷第一作者：报装王长雪通讯作者：报装周儒*单位：合肥工业大学，牛津大学【研究背景】Sb2S3、Sb2Se3、Sb2(S,Se)3等锑基硫属化合物凭借其优异的材料和光电性能，如吸收系数高（~105 cm-1）、带隙可调（1.1-1.7eV）、原料丰富且环境友好、易于制备、材料稳定性优异等优点，在太阳能电池领域获得广泛关注。Cl3p与In5s和In5p之间存在显著杂化，质效能量区间为-7.0eV至0eV。

通过系统地实验​​和计算研究表明：湖北宽带隙InOCl钝化剂通过提高空位形成能而降低缺陷态密度，对于异质界面处In2S3的缺陷修复发挥重要作用。

能带结构研究表明InOCl界面层的引入为有效载流子传输提供了优异的能带排列，武汉InOCl/Sb2(S,Se)3异质结的导带偏移(CBO)约为+0.35eV，武汉在In2S3/InOCl/Sb2(S,Se)3界面处形成尖峰结构，更有利于抑制界面复合。首先，公司这种色变可能是由猫咪的年龄和健康状况引起的

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